电流密度对直流电解沉积纳米孪晶Cu微观结构的影响
来源期刊：金属学报2013年第5期
论文作者：金帅 潘庆松 卢磊
文章页码：635 - 640
关键词：Cu;直流电解沉积;电流密度;纳米孪晶;晶粒尺寸;
摘 要：采用直流电解沉积技术,制备出具有高密度择优取向的纳米孪晶结构块体Cu样品.样品由微米级柱状晶粒构成,晶粒内有高密度的平行于生长基面的共格孪晶界面.研究发现,电流密度对于纳米孪晶Cu的晶粒尺寸有明显影响,但对其织构和孪晶片层厚度影响不大.当电流密度从10 mA/cm2增加到30 mA/cm2,纳米孪晶Cu的平均晶粒尺寸从10.1μm减小到4.2um,孪晶片层厚度为30-50 nm.其原因是随电流密度的增加,阴极的过电位增大,从而使晶粒细化.
金帅，潘庆松，卢磊
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室
摘 要：采用直流电解沉积技术,制备出具有高密度择优取向的纳米孪晶结构块体Cu样品.样品由微米级柱状晶粒构成,晶粒内有高密度的平行于生长基面的共格孪晶界面.研究发现,电流密度对于纳米孪晶Cu的晶粒尺寸有明显影响,但对其织构和孪晶片层厚度影响不大.当电流密度从10 mA/cm2增加到30 mA/cm2,纳米孪晶Cu的平均晶粒尺寸从10.1μm减小到4.2um,孪晶片层厚度为30-50 nm.其原因是随电流密度的增加,阴极的过电位增大,从而使晶粒细化.
关键词：Cu;直流电解沉积;电流密度;纳米孪晶;晶粒尺寸;
