光沉积法制备Cu_0.91In_0.09S修饰的TiO₂纳米管阵列及其光电性能研究

崔新宇¹，尹媛媛²，王云鹏³，靳革¹，张慧¹

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摘 要：采用阳极氧化法和原位光沉积法制备了Cu_0.91In_0.09S（CIS）微球修饰的TiO₂纳米管阵列（TiO₂NTs/CIS）。通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对TiO₂NTs/CIS的形貌进行了表征。同时测试了TiO₂NTs/CIS的光电性能及其光催化降解甲基橙（MO）的性能。结果表明平均粒径为600 nm的Cu_0.91In_0.09S微球均匀分布在TiO₂NTs表面上。在可见光照射下,与未修饰的TiO₂NTs相比,TiO₂NTs/CIS具有更高的光电性能和光催化性能。

关键词：TiO2纳米管阵列;Cu0.91In0.09S微球;光催化性能;电化学性能;