蒙脱土/聚酰亚胺复合薄膜的电击穿破坏特性
来源期刊：绝缘材料2005年第5期
论文作者：杨士勇 王德生 胡爱军 吴俊涛 范琳
关键词：聚酰亚胺; 薄膜; MMT; 击穿破坏;
摘 要：通过在聚酰亚胺基体中引入一定量 MMT片层,可以改善薄膜的耐电老化性能,对薄膜电老化前后表面形貌及化学组成的研究结果表明: MMT片层均匀而充分的分散提高了 MMT/PI薄膜的耐电弧性 , 这是聚酰亚胺薄膜电老化性能改善的原因.
杨士勇1，王德生1，胡爱军1，吴俊涛1，范琳1
(1.中国科学院化学研究所高技术材料实验室,北京,100080)
摘要:通过在聚酰亚胺基体中引入一定量 MMT片层,可以改善薄膜的耐电老化性能,对薄膜电老化前后表面形貌及化学组成的研究结果表明: MMT片层均匀而充分的分散提高了 MMT/PI薄膜的耐电弧性 , 这是聚酰亚胺薄膜电老化性能改善的原因.
关键词:聚酰亚胺; 薄膜; MMT; 击穿破坏;
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