化学水浴沉积时间对CdS薄膜性质的影响
来源期刊：功能材料2007年第6期
论文作者：敖建平 刘琪 冒国兵
关键词：化学水浴沉积(CBD); CdS薄膜; 沉积时间; Cu(In,Ga)Se2太阳电池;
摘 要：采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响.结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,薄膜结构由立方、六方混合相向立方相转变,(111)方向成为择优生长方向;SEM研究表明,随沉积时间增加,薄膜变致密,薄膜表面出现的白色附着颗粒增多,尺寸增大;沉积时间对薄膜的光学性质也有很大的影响,随着沉积时间的增加薄膜透过率减小,而禁带宽度值增大.
敖建平1，刘琪2，冒国兵2
(1.南开大学,光电子薄膜器件与技术研究所,天津,30071;
2.安徽工程科技学院,机械系,安徽,芜湖,241000)
摘要:采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响.结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,薄膜结构由立方、六方混合相向立方相转变,(111)方向成为择优生长方向;SEM研究表明,随沉积时间增加,薄膜变致密,薄膜表面出现的白色附着颗粒增多,尺寸增大;沉积时间对薄膜的光学性质也有很大的影响,随着沉积时间的增加薄膜透过率减小,而禁带宽度值增大.
关键词:化学水浴沉积(CBD); CdS薄膜; 沉积时间; Cu(In,Ga)Se2太阳电池;
【全文内容正在添加中】
