铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究
来源期刊：无机材料学报2002年第6期
论文作者：宁晓山 彭榕 徐伟 林渊博 周和平
关键词：敷接; 结合强度; Al/AlN电子陶瓷基板;
摘 要：在675～750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在A1N电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度＞15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大.
宁晓山1，彭榕1，徐伟1，林渊博1，周和平1
(1.清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084)
摘要:在675～750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在A1N电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度＞15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大.
关键词:敷接; 结合强度; Al/AlN电子陶瓷基板;
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