在不同基体上沉积c-BN膜的研究
来源期刊：材料研究学报2000年增刊第1期
论文作者：胡奈赛 何家文 张晓玲
关键词：立方BN膜; 射频PCVD; 基体; 结合力;
摘 要：研究了在不同基体上用射频PCVD方法沉积的BN膜结果表明,镀层中的c-BN含量、残余应力、镀层硬度基本上不受基体种类的影响,但沉积速度、膜基结合力却有较大差别.镀层由a-BN和c-BN组成,c-BN的尺寸为20～40nm.镀层的硬度为HV3000,残余应力为7.0GPa.
胡奈赛1，何家文1，张晓玲1
(1.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室)
摘要:研究了在不同基体上用射频PCVD方法沉积的BN膜结果表明,镀层中的c-BN含量、残余应力、镀层硬度基本上不受基体种类的影响,但沉积速度、膜基结合力却有较大差别.镀层由a-BN和c-BN组成,c-BN的尺寸为20～40nm.镀层的硬度为HV3000,残余应力为7.0GPa.
关键词:立方BN膜; 射频PCVD; 基体; 结合力;
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