均衡压力场平面抛光技术的研究
来源期刊：机械设计与制造2003年第3期
论文作者：孙军 王军 杨信伟
文章页码：124 - 125
关键词：超精密加工;抛光;半导体晶片;平面度;压强分布;
摘 要：这里基于弹性力学的接触理论,研究了导向环、工件与抛光垫接触的压力场分布形态,提出了通过改变工件相对夹具的负载比,进行均衡压力场抛光技术的研究,较好地解决了大尺寸硅片的平面加工问题。使用该项技术可使半导体晶片抛光的平面度达到0.25～0.33μm/Φ76mm。
孙军，王军，杨信伟
摘 要：这里基于弹性力学的接触理论,研究了导向环、工件与抛光垫接触的压力场分布形态,提出了通过改变工件相对夹具的负载比,进行均衡压力场抛光技术的研究,较好地解决了大尺寸硅片的平面加工问题。使用该项技术可使半导体晶片抛光的平面度达到0.25～0.33μm/Φ76mm。
关键词：超精密加工;抛光;半导体晶片;平面度;压强分布;
