在hBN-Li3N-B体系中合成黑色立方氮化硼
来源期刊：材料研究学报2007年第6期
论文作者：杜勇慧 张铁臣
关键词：材料合成与加工工艺; 立方氮化硼; 硼; 拉曼光谱; 应力;
摘 要：在高温高压条件下在hBN-Li3N-B体系中合成黑色立方氮化硼,研究了添加B的影响.结果表明,在合成的富硼cBN晶体中,没有其它杂质;体系中加入B使合成出的晶体晶形相更完整.过量的B进入晶体是晶体颜色由黄色变成黑色主要原因,硼的进入抑制了cBN晶体沿〈111〉方向生长而有利于沿〈100〉方向生长,由原来的板状晶体变成类八面体状或类球形晶体.用掺B的方法合成的黑色晶体比未掺B的黄色晶体具有更小的残余应力,破碎强度更高.
杜勇慧1，张铁臣1
(1.吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012;
2.北华大学物理学院,吉林,132013)
摘要:在高温高压条件下在hBN-Li3N-B体系中合成黑色立方氮化硼,研究了添加B的影响.结果表明,在合成的富硼cBN晶体中,没有其它杂质;体系中加入B使合成出的晶体晶形相更完整.过量的B进入晶体是晶体颜色由黄色变成黑色主要原因,硼的进入抑制了cBN晶体沿〈111〉方向生长而有利于沿〈100〉方向生长,由原来的板状晶体变成类八面体状或类球形晶体.用掺B的方法合成的黑色晶体比未掺B的黄色晶体具有更小的残余应力,破碎强度更高.
关键词:材料合成与加工工艺; 立方氮化硼; 硼; 拉曼光谱; 应力;
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