原位合成MoSi₂-SiC复合材料700℃的氧化行为

来源期刊：材料研究学报2015年第8期

论文作者：张来启 段立辉 林均品

文章页码：561 - 568

关键词：材料失效与保护;MoSi2-SiC复合材料;原位合成;低温氧化行为;pest现象;

摘    要：研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在700℃空气中1000h的长期氧化行为。结果表明:复合材料氧化1000h后,均未发生pest现象。复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料（外加复合材料）。复合材料氧化膜相组成仅为非晶SiO2,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化。材料在700℃下仍发生硅、钼的同时氧化,因MoO3的挥发较快没有晶须形成,因而在材料表面快速形成一薄层连续、致密的非晶SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期抗氧化性。