零维/二维Bi₂S₃/g-C₃N₄异质结的原位构建及光催化性能

来源期刊：材料导报2020年第15期

论文作者：李玉佩 王晓静 赵君 胡秋月 王利勇 成永强

文章页码：15033 - 15038

关键词：Bi₂S₃/g-C₃N₄;异质结;罗丹明B;光催化性能;

摘    要：采用简单的一步溶剂热法,以硝酸铋为铋源,硫代硫酸钠为硫源,将Bi₂S₃纳米粒子原位修饰在g-C₃N₄纳米片上,成功制备了零维/二维Bi₂S₃/g-C₃N₄异质结。利用XRD、SEM、TEM、UV-Vis、荧光光谱以及电化学分析方法等手段对所制备的光催化材料进行了表征。在可见光照射下,以罗丹明B（RhB）为模型污染物,研究其光催化降解效率。结果表明,Bi₂S₃以纳米颗粒的形式分散于g-C₃N₄纳米片上,形成了零维/二维异质结结构,拓宽了g-C₃N₄在可见光区的吸收,降低了电子-空穴对的复合概率;与纯g-C₃N₄相比,Bi₂S₃/g-C₃N₄异质结表现出更高的光催化效率。同时,Bi₂S₃/g-C₃N₄催化剂具有良好的光催化稳定性,经过5次循环后其光催化活性基本稳定。