MgB₂/Mo多层膜的制备与超导性质

周章渝^1,2,3，肖寒⁴，王松³，张青竹²，王代强⁴，陈雨青¹，傅兴华³

1. 贵阳学院2. 中国科学院微电子研究所3. 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室4. 贵州民族大学

摘 要：采用磁控溅射技术（MS）和混合物理化学气相沉积法（HPCVD）在单晶Al₂O₃基底上制备MgB₂/Mo多层膜。通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和标准四线法对样品的表面形貌、晶体结构和超导特性进行了测量研究。结果表明,随着后续MgB₂沉积温度的提高,各膜层结晶程度进一步提高,晶粒尺寸不断增大,各自保持着良好的物质稳定性。在730℃下生长的MgB₂薄膜的超导转变温度T_conset和零电阻温度T_c0分别为39.73和39.53 K,剩余电阻率ρ_40K为0.77μΩ·cm,表明样品处于干净极限。

关键词：混合物理化学气相沉积法;磁控溅射技术;MgB2/Mo多层膜;