CdTe薄膜的制备方法比较及其结构性能研究
来源期刊：功能材料2002年第5期
论文作者：陈树义 李锦 郑毓峰 孙严飞 徐金宝
关键词：CdTe薄膜; 制备; 掺杂;
摘 要：采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备CdTe薄膜,并对其进行掺杂研究.样品利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计和霍尔系数测量系统进行测试.结果显示,CSS制备的CdTe薄膜与VE和RF法制备的薄膜相比,晶粒大,晶形好.适当的掺杂某些元素,适当的掺杂量,可以改善CdTe薄膜的结晶性能,提高其导电性能.掺杂对CdTe薄膜的光能隙影响不大.
陈树义1，李锦1，郑毓峰1，孙严飞1，徐金宝1
(1.新疆大学,物理系,新疆,乌鲁木齐,830046)
摘要:采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备CdTe薄膜,并对其进行掺杂研究.样品利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计和霍尔系数测量系统进行测试.结果显示,CSS制备的CdTe薄膜与VE和RF法制备的薄膜相比,晶粒大,晶形好.适当的掺杂某些元素,适当的掺杂量,可以改善CdTe薄膜的结晶性能,提高其导电性能.掺杂对CdTe薄膜的光能隙影响不大.
关键词:CdTe薄膜; 制备; 掺杂;
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