Er₂O₃栅介质积累端电容频率色散效应的研究

来源期刊：功能材料2011年第11期

论文作者：姚博 方泽波 朱燕艳 陈圣 陈圣

文章页码：2085 - 2088

关键词：Er2O3;高频C-V测试;高k栅介质;频率色散;

摘    要：采用分子束外延（MBE）方法在Si（001）衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压（C-V）测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。