GaAs（001）-（2×6）重构下的表面形貌及其重构原胞

周勋¹，罗子江²，王继红³，郭祥³，丁召³

1. 贵州师范大学物理与电子科学学院2. 贵州财经大学信息学院3. 贵州大学理学院

摘 要：采用RHEED与STM技术对GaAs（001）-（2×6）表面重构下的表面形貌进行研究,研究发现GaAs（001）-（2×6）重构表面是GaAs（001）-β2（2×4）重构表面经530℃,1.33μPa As BEP退火获得,在（2×6）重构下的GaAs（001）表面形貌已经进入表面存在系列单层岛和坑覆盖的无序平坦状态。为了进一步确定（2×6）重构的原胞结构,采用球棍模型对其原胞结构进行模拟,提出新的As表面覆盖率计算方法、结合STM图片分析对球棍模型进行验证和筛选,首次在实验上证实（2×6）重构原胞中存在2个As Dimers和2个Ga Dimers,并以此重构原胞结构构建理论下的（2×6）重构表面,获得结果与STM图片高度吻合。

关键词：GaAs（001）-（2×6）重构;表面形貌;As覆盖率;重构原胞;