在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究
来源期刊：功能材料2010年第4期
论文作者：何浩 邓朝勇 丁召 贺业全 杨再荣 周勋 罗子江
关键词：MBE; RHEED图像; 粗糙化; EDS; GaAs表面重构;
摘 要：采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体.
何浩1，邓朝勇1，丁召1，贺业全1，杨再荣1，周勋1，罗子江1
(1.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;
2.贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001;
3.贵州财经学院,教育管理学院,贵州,贵阳,550004)
摘要:采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体.
关键词:MBE; RHEED图像; 粗糙化; EDS; GaAs表面重构;
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