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MBE生长AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变控制

来源期刊:稀有金属2004年第3期

论文作者:张永刚 唐雄心 李爱珍 郑燕兰 唐田

关键词:InGaAsSb; AlGaAsSb; 应变;

摘    要:基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补偿效果,实验结果和理论计算相当吻合.

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MBE生长AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变控制

摘要:基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补偿效果,实验结果和理论计算相当吻合.

关键词:InGaAsSb; AlGaAsSb; 应变;

Strained AlGaAsSb/InGaAsSb Materials Grown by Molecular Beam Epitaxy

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