退火后应变Ga_1-xln_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱特性

来源期刊：材料科学与工程学报2014年第4期

论文作者：李培 唐吉玉 文于华 王茜 李德钦

文章页码：505 - 508

关键词：GaInNAs/GaAs;退火;光增益;

摘    要：引入N原子周围In原子数r自建模型,研究退火对GaInNAs/GaAs量子阱能带结构和应变效应的影响,计算退火前后量子阱的光增益谱,讨论了退火温度和量子阱阱宽对光增益峰值蓝移的影响。结果表明退火使带隙发生蓝移,光增益峰值向短波方向移动,退火温度T越高,相同组分条件下的峰值蓝移越大。减小合金中N含量以及增加量子阱阱宽可减少增益峰值蓝移,从而降低退火带来的不利影响。