量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响
来源期刊：稀有金属2007年增刊第1期
论文作者：潘尧波 张国义 陆羽 陈志忠 杨志坚 陆敏
关键词：紫光二极管; MOCVD; GaN; 量子阱结构;
摘 要：采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.
摘要：采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.
关键词：紫光二极管; MOCVD; GaN; 量子阱结构;
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