SiC单晶材料加工工艺研究进展
来源期刊：材料导报2014年第1期
论文作者：肖强 何雪莉
文章页码：6 - 10
关键词：SiC单晶;精密磨削;化学机械抛光;表面质量;
摘 要：SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料,其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点,突出表现为加工效率低、表面质量不稳定等问题,因此SiC单晶片的高效低损伤加工技术成为研究的焦点。介绍了SiC单晶材料去除机理,总结了高效精密加工SiC单晶的工艺现状及发展趋势,这对于提高SiC单晶片加工技术和应用水平有重要的理论意义和实用价值。
肖强1，何雪莉2
1. 西安工业大学机电工程学院2. 陕西师范大学
摘 要：SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料,其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点,突出表现为加工效率低、表面质量不稳定等问题,因此SiC单晶片的高效低损伤加工技术成为研究的焦点。介绍了SiC单晶材料去除机理,总结了高效精密加工SiC单晶的工艺现状及发展趋势,这对于提高SiC单晶片加工技术和应用水平有重要的理论意义和实用价值。
关键词：SiC单晶;精密磨削;化学机械抛光;表面质量;
