表面损伤层对Hg1-xMnxTe晶片电学参数的影响

汪晓芹¹，刘长友¹，李强¹，介万奇¹，王泽温¹，查钢强¹，谷智¹，李培森¹

(1.西北工业大学材料学院,陕西,西安,710016)

摘要:采用范德堡法在77 K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量.结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2%左右.化学抛光前,晶片表面损伤层内存在大量位错,对载流子的迁移造成散射,使得损伤层中的霍尔迁移率降低,但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大,增幅最小的也达到了21%.本研究在3层模型的基础上,通过理论分析和计算,对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释.

关键词:Hg1-xMnxTe; 表面损伤层; 电学参数; 霍尔迁移率;

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