雾室温度对ICP-MS分析性能影响的研究

来源期刊：分析试验室2004年第9期

论文作者：李中玺 周丽萍

文章页码：13 - 18

关键词：ICP-MS;雾室温度;分析性能;

摘    要：研究了在电感耦合等离子体质谱分析中雾室温度对仪器分析性能的影响情况。在实验中选取半导体对雾室进行制冷,结果表明随着半导体制冷温度升高,进入等离子体水蒸气和分析元素气溶胶的量增加,但水蒸气引入量的增加幅度明显大于气溶胶,温度每增加1℃,等离子体中水的负载量增加2 3%,而气溶胶则只增加0.35%。同时随着半导体制冷温度的升高,分析元素的灵敏度下降,氧化物干扰增强,但氧化物的计数并未增加。根据元素灵敏度和氧化物干扰随半导体制冷温度变化的差异性,对人工模拟高纯Sm2O3中杂质稀土元素Dy、Ho、Er、Yb的量进行了计算,通过与模拟加入量比较,证明使用这种方法可对高纯稀土中某些受基体元素氧化物离子严重干扰的稀土元素进行快速定量分析,分析结果的偏差小于20%。