SiC发光特性及其调控研究进展

来源期刊：材料工程2017年第2期

论文作者：王思聪 季凌飞 吴燕 张永哲 闫胤洲

文章页码：102 - 111

关键词：碳化硅;宽禁带半导体;发光;发光调控;

摘    要：碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点,所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力。本文综述了国内外SiC发光性质的研究现状,介绍SiC发光的实际应用,阐述了单晶、纳米晶和薄膜不同形态SiC的制备方法及发光特点,并对SiC发光调控的研究进展进行了探讨与展望。利用新兴技术手段,可实现对SiC发光光谱和发光效率等性质的调控。