斜切衬底自组装模板形成机制及生长有序量子点的研究进展

来源期刊：材料导报2015年第21期

论文作者：张璋 王荣飞 杨杰 王茺 杨宇

文章页码：8 - 14

关键词：斜切衬底;台阶;自组装模板;有序量子点;

摘    要：在斜切基片表面上引入原子台阶并对物理表面进行改性,可提高表面吸附原子的成核率及抑制量子点的合并,实现三维量子点在Stranski-Krastanov（S-K）模式生长的调控生长。概述了斜切基片法在Si衬底上生长有序量子点的研究进展;介绍了斜切基片作为图形衬底生长有序量子点的应用。叙述了斜切基片产生台面、台阶和扭结的图形衬底结构机制及影响因素,探讨了台阶模板形成机制及台阶模板上生长量子点的研究进展。