聚酰亚胺/介孔二氧化硅复合薄膜的介电性能研究
来源期刊：绝缘材料2008年第2期
论文作者：杨志强 党智敏 马兰杰
关键词：聚酰亚胺; MCM-41; 复合薄膜; 低介电常数; 电气强度; 电阻率;
摘 要：采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺(PI)/介孔二氧化硅(MCM-41)复合薄膜.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)观察到MCM-41粒子规整的六方立体结构,通过扫描电子显微镜(SEM)研究了MCM-41粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态以及MCM-41粒子添加量对该复合薄膜介电性能的影响.结果表明:PI复合薄膜的体积电阻率和电气强度都有不同程度的提高.与纯PI相比,MCM-41含量为3.0%时,复合薄膜体积电阻率提高了一个数量级,由2.8 X 1014Ω·m增至2.1×1015Ω·m,同时介电常数从3.26降至2.86,介质损耗因数无显著变化.
杨志强1，党智敏2，马兰杰2
(1.首钢技术研究院,北京,100041;
2.北京化工大学,纳米材料先进制备技术与应用科学教育部重点实验室,北京,100029)
摘要:采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺(PI)/介孔二氧化硅(MCM-41)复合薄膜.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)观察到MCM-41粒子规整的六方立体结构,通过扫描电子显微镜(SEM)研究了MCM-41粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态以及MCM-41粒子添加量对该复合薄膜介电性能的影响.结果表明:PI复合薄膜的体积电阻率和电气强度都有不同程度的提高.与纯PI相比,MCM-41含量为3.0%时,复合薄膜体积电阻率提高了一个数量级,由2.8 X 1014Ω·m增至2.1×1015Ω·m,同时介电常数从3.26降至2.86,介质损耗因数无显著变化.
关键词:聚酰亚胺; MCM-41; 复合薄膜; 低介电常数; 电气强度; 电阻率;
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