共沉淀法制备Ce掺杂的Gd3（Al,Ga）5O12粉体（英文）
来源期刊：无机材料学报2016年第10期
论文作者：张烨 陈先强 秦海明 罗朝华 蒋俊 江浩川
文章页码：1151 - 1156
关键词：Gd3(Al,Ga)5O12陶瓷;共沉淀;煅烧;无机闪烁体;
摘 要：通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水,共沉淀生成Ce掺杂的Gd3（Al,Ga）5O12（GAGG）前驱体,并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征。分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理,采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征,结果显示制备出纯相的GAGG粉体。采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察。GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰。在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度。
张烨1，陈先强1,2，秦海明1，罗朝华1，蒋俊1，江浩川1
1. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所2. 中国科学院大学
摘 要：通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水,共沉淀生成Ce掺杂的Gd3（Al,Ga）5O12（GAGG）前驱体,并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征。分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理,采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征,结果显示制备出纯相的GAGG粉体。采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察。GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰。在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度。
关键词：Gd3(Al,Ga)5O12陶瓷;共沉淀;煅烧;无机闪烁体;
